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論文

Crystalline dependence of spin transmission in Cr$$_2$$O$$_3$$ thin films

Qin, J.*; Hou, D.*; Chen, Y.*; 齊藤 英治; Jin, X.*

Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 501, p.166362_1 - 166362_4, 2020/05

 被引用回数:4 パーセンタイル:25.87(Materials Science, Multidisciplinary)

Spin transmission in Cr$$_2$$O$$_3$$ films of different crystalline textures is studied experimentally. With Y$$_3$$Fe$$_5$$O$$_{12}$$/Cr$$_2$$O$$_3$$/Pt trilayer devices, a spin current is injected into Cr$$_2$$O$$_3$$ by spin pumping from Y$$_3$$Fe$$_5$$O$$_{12}$$, and the spin transmission is monitored by the inverse spin Hall voltage ($$V_mathrm{ISHE}$$) in Pt. For (0001) plane textured Cr$$_2$$O$$_3$$ films, $$V_mathrm{ISHE}$$ vanishes quickly below the N$'{e}$el temperature. However, the $$V_mathrm{ISHE}$$ shows a broad shoulder below the N$'{e}$el temperature for $$(11bar{2}0)$$ and $$(11bar{2}3)$$ plane co-textured Cr$$_2$$O$$_3$$. Such a difference in the temperature dependence of Cr$$_2$$O$$_3$$ can be understood by the different N$'{e}$el vector orientations with respect to the injected spin moment direction.

口頭

TlBrの結晶育成方向の結晶方位分布の観察

渡辺 賢一*; 人見 啓太朗*; 野上 光博*; 前田 茂貴; 尾鍋 秀明*

no journal, , 

TlBrは高い原子番号・密度、広いバンドギャップを有する化合物半導体で、室温動作可能かつ高い検出効率を有するガンマ線検出器材料として開発が進められている。現状での課題は、デバイス作製における歩留まりの向上であり、安定に高品質なデバイスを製作可能なプロセスの確立が求められている。結晶育成プロセスは、良質な検出器を製作する上で、最も重要なプロセスの一つであり、結晶がどのように育成されていくかを理解することは非常に重要である。今回は、結晶育成方向について、結晶方位分布を観察し、結晶成長に関する知見を得ることを試みた。

口頭

Crystal quality evaluation of a large TlBr crystal using neutron Bragg-dip imaging

渡辺 賢一*; 人見 啓太朗*; 野上 光博*; 前田 茂貴; 尾鍋 秀明*

no journal, , 

臭化タリウム(TlBr)は、ガンマ線スペクトロメータとして魅力的な化合物半導体である。TlBr検出器は優れたエネルギー分解能を示しているが、これらの結果は比較的小さな結晶検出器から得られたものである。TlBr開発の次の段階は、検出器のサイズを大きくし、検出器生産の歩留まりを改善することである。これまで、中性子回折法の一つである中性子ブラッグディップイメージングを用いてTlBrの結晶性を評価してきた。本研究では、直径50mm、厚さ12mmの大きなTlBr結晶ウェーハを用意し、中性子ブラッグディップイメージングにより、この大型結晶の品質を評価した。大きなTlBr結晶の中心領域は、均一でよく結晶方位が整列していることが確認された。今後の課題として、この大きな結晶のさまざまな位置で、検出器特定である移動度・寿命積などの電気的特性を評価する必要がある。

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